半導體電阻率測試儀是根據四探針原理，適合半導體器材廠，材料廠用于測量半導體材料（片狀、棒狀）的體電阻率，方塊電阻（簿層電阻），也可以用作測量金屬薄層電阻，經過對用戶、半導體廠測試的調查，根據美國ASTM標準的規定，在電路和探頭方面作了修改和，適合于半導體器材廠，檢測方面對中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測量需要，成為普及型的電阻率測試儀，具有測量精度高，穩定性好，輸入阻抗高，使用方便、價格低廉等特點。
儀器指標：
測量范圍：電阻率10-3—103Ω-cm，分辯率為10-4Ω-cm ，可擴展到105Ω-cm
方塊電阻10-2—104Ω/□，分辯率為10-3Ω/□，可擴展到106Ω/□
薄層金屬電阻10-4—105Ω，分辯率為10-4Ω
可測半導體材料尺寸：直徑Φ15—Φ125mm；
長度：150mm(可擴展500mm)
測量方式：軸向、斷面**
數字電壓表：
量程：20mV(分辯率：10μV)、200mV、2V
測量誤差：±0.3%讀數±1字
輸入阻抗：大于108Ω
顯示3 1/2 位紅色發光二，管（LED）數字顯示
0---1999具有，性、過載、小數點、單位自動顯示
恒流源：由交流供電
直流電流：0—100mA連續可調
量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
分辯率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA
電流誤差：±0.3%讀數±2字
電性能模擬考核誤差：<±0.3%，ASTM指標
測試探頭：（1）探針機械游移率：± 0.3% ，ASTM 指標
電源：交流220V±10% 50HZ或60HZ 功率消耗< 30W
電氣箱外形尺寸：119×440×320mm