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產(chǎn)品名稱(chēng): NXTR-1A/1B薄膜方塊電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): NXTR-1A/1B
產(chǎn)品展商: ghitest
產(chǎn)品文檔: *相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
薄膜方塊電阻測(cè)試儀主要用來(lái)測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。它由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱(chēng)：主機(jī)）、測(cè)試架、四探針頭及**測(cè)量軟件組成
NXTR-1A/1B薄膜方塊電阻測(cè)試儀
的詳細(xì)介紹
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
薄膜方塊電阻測(cè)試儀主要用來(lái)測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。它由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱(chēng)：主機(jī)）、測(cè)試架、四探針頭及**測(cè)量軟件組成
使用范圍
適用于西門(mén)子法、硅烷法等生產(chǎn)**多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提*生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研部門(mén)、高等院校及需要**量程測(cè)量電阻率的企業(yè)
產(chǎn)品特點(diǎn)
可測(cè)方塊電阻：適合檢測(cè)硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門(mén)子法、硅烷法等生產(chǎn)**多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提*生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研部門(mén)、高等院校及需要**量程測(cè)量電阻率的企業(yè)
測(cè)試量程大，**電阻率測(cè)試儀
主機(jī)配置了“小游移四探針頭”了一起數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測(cè)試精度**提高
測(cè)量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
*特的設(shè)計(jì)能**消除測(cè)量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， ***測(cè)量的高精度和寬的量程范圍
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測(cè)量*，操作*簡(jiǎn)便
具有**的測(cè)試數(shù)據(jù)查詢(xún)及打印功能
測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)換向測(cè)量、求平均值、值、值、平均百分變化率等
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測(cè)量重復(fù)性**提高
采用進(jìn)口元器件，留有*大的系數(shù)，**提高了測(cè)試儀的性和使用壽命
測(cè)量電流采用高度穩(wěn)定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測(cè)反測(cè)的功能，測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性
具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能
測(cè)量范圍
10-5 ------1.9*105 Ω?cm
10-4------1.9*104 Ω?cm
可測(cè)硅棒尺寸： 長(zhǎng)度300mm；直徑20mm（**按用戶(hù)要求*改）
輸出電流：DC0.001-100mA 五檔連續(xù)可調(diào) 測(cè)量范圍：0-199.99mV
靈 敏 度： 10μA
輸入阻抗：1000ΩM
電阻測(cè)量誤差：各檔均低于±0.05%
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃ 相對(duì)溫度：≤65%