NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀|分立器件綜合參數(shù)測(cè)定儀
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產(chǎn)品名稱: NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀|分立器件綜合參數(shù)測(cè)定儀
產(chǎn)品型號(hào): NIBJ-2939
產(chǎn)品展商: ghitest
產(chǎn)品文檔: *相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)、16位并行A/D和D/A、多開(kāi)爾文反饋、小信號(hào)精密測(cè)試以及陣列開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，并選用材料制作。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大**，從而**提高了系統(tǒng)的性能和性。
NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀|分立器件綜合參數(shù)測(cè)定儀
的詳細(xì)介紹
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)、16位并行A/D和D/A、多開(kāi)爾文反饋、小信號(hào)精密測(cè)試以及陣列開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，并選用材料制作。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大**，從而**提高了系統(tǒng)的性能和性。
其特點(diǎn)是側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試、速度快、有的重復(fù)性和**性、很高的工作穩(wěn)定性和性，很強(qiáng)的保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件保護(hù)能力。系統(tǒng)軟件功能**、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)指標(biāo)**真實(shí)達(dá)到手冊(cè)要求。
系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面，在PC機(jī)窗口提示下，輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件，測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng)，完成填表編程和開(kāi)發(fā)測(cè)試程序、測(cè)試器件。操作人員**具備**計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。3分鐘即可完成一種測(cè)試編程，編寫完成后輸入儀器即可測(cè)試。當(dāng)然還可以在儀器下直接進(jìn)行器件測(cè)試程序及條件的編寫，方便靈活。系統(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)，自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的**壓降，**情況下測(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。
優(yōu)良的、低廉的價(jià)格、周到的服務(wù)使得該系統(tǒng)在市場(chǎng)具有好的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。。
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀特征：
1.采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300μS，國(guó)軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式計(jì)算機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行
2.16位并行D/A、A/D設(shè)計(jì)，測(cè)試速度快、精度高
3.采用多開(kāi)爾文，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確
4.采用三保護(hù)，系統(tǒng)，對(duì)被測(cè)器件*損傷
5.豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力、方便的用戶信息文件、統(tǒng)計(jì)文件方式
6.晶體三管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力，*止選錯(cuò)類型
7.二管性自動(dòng)判別選擇，用戶測(cè)試二管不注意性
9.***自檢/自校準(zhǔn)能力
10.測(cè)試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀參數(shù)：
主電壓：200V
主電流：10mA
測(cè)試速度：器件不同速度也不同
控制1電壓：20V
控制1電流：10A
控制2電壓：20V
控制2電流：1A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：1nA
試器件種類
測(cè)試功能*加**，可測(cè)試八類中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：
二管
穩(wěn)壓（齊納）二管
晶體管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶閘管）
雙向可控硅（雙向晶閘管）
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝）
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
光電耦合器
上述所列類別包括各中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。
測(cè)試方法行業(yè)總規(guī)范、相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)、**器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
提供上述**器件測(cè)試所用的不同封裝形式的測(cè)試夾具和測(cè)試適配器。
可以定做**陣列、組合封裝、表貼器件的測(cè)試夾具。
幫助用戶開(kāi)發(fā)**器件的測(cè)試程序。
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)： BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH
鎖定參數(shù)：IL
混合參數(shù)：rDSON、gFS
測(cè)試盒說(shuō)明：
測(cè)試盒共有五種：
1.可測(cè)二管、穩(wěn)壓二管；
2.可測(cè)封裝為TO-92、TO-220等三個(gè)管腳在一個(gè)平面上的三端器件；
3.可測(cè)封裝為TO-3及封裝為F1、F2、F3、F4三端器件；
4.可測(cè)三個(gè)管腳分三角形排列，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件；
5.可測(cè)DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器；
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀測(cè)試夾具：
測(cè)試夾具有三根夾子線，與測(cè)試盒1配合使用，用來(lái)測(cè)試器件形狀**，不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座，則使用此三個(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上進(jìn)行測(cè)試。
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀基本配置：
分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀 1臺(tái)
常用測(cè)試夾具 5個(gè)
測(cè)試夾線 1套
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀選用配置：
主控PC機(jī) 1臺(tái)
其它測(cè)試夾具