產(chǎn)品資料

    NIQJ-30低頻大功率FT測(cè)試儀|低頻大功率晶體管fT測(cè)定儀

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    產(chǎn)品名稱: NIQJ-30低頻大功率FT測(cè)試儀|低頻大功率晶體管fT測(cè)定儀
    產(chǎn)品型號(hào): NIQJ-30
    產(chǎn)品展商: ghitest
    產(chǎn)品文檔: *相關(guān)文檔

    簡(jiǎn)單介紹

    儀器是測(cè)量NPN,PNP型大功率晶體管特征頻率fT 設(shè)備,測(cè)量頻率為0.3MHz、1MHz、3MHz、10MHz四個(gè)點(diǎn)頻,測(cè)量范圍為0.3MHz-100MHz并能在上述點(diǎn)頻測(cè)量器件之高頻正向共發(fā)射電流增益hfe。本儀器由主機(jī)和三個(gè)測(cè)試盒組成,可測(cè)F1、F2、F3、F4、G3、G4六種管殼的低頻大功率管,外接偏置高壓電流源之偏置范圍為0-50V,0-5A。


    NIQJ-30低頻大功率FT測(cè)試儀|低頻大功率晶體管fT測(cè)定儀  的詳細(xì)介紹
    低頻大功率fT測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
    儀器是測(cè)量NPN,PNP型大功率晶體管特征頻率fT 設(shè)備,測(cè)量頻率為0.3MHz、1MHz、3MHz、10MHz四個(gè)點(diǎn)頻,測(cè)量范圍為0.3MHz-100MHz并能在上述點(diǎn)頻測(cè)量器件之高頻正向共發(fā)射電流增益hfe。本儀器由主機(jī)和三個(gè)測(cè)試盒組成,可測(cè)F1、F2、F3、F4、G3、G4六種管殼的低頻大功率管,外接偏置高壓電流源之偏置范圍為0-50V,0-5A。
    低頻大功率fT測(cè)試儀性能指標(biāo):
    測(cè)量頻率:0.3MHz、1MHz、3MHz、10MHz誤差:≤±1×10-4、穩(wěn)定度:≤±5×10-4小時(shí)
    測(cè)試接收機(jī)中心頻率:0.3MHz、1MHz、3MHz、10MHz誤差:≤±1×10-4,靈敏度:≤150μV
    高頻衰減器衰減量及工作誤差:
    檔 hfe:3   9.54db±0.5db
    **檔 hfe:10  20db±0.1db
    第三檔 hfe:30  29.54db±0.2db
    測(cè)試回路恒流阻抗:≥2KΩ
    fT測(cè)量范圍:額定范圍     **范圍
    fM=0.3MHz   0.3MHz-3MHz  0.6MHz-2.4MHz
    fM=1.0MHz   1.0MHz-10MHz 2MHz-8MHz
    fM=3MHz     3.0MHz-30MHz 6MHz-24MHz
    fM=10MHz    10MHz-100MHz 20MHz-80MHz
    高頻正向共發(fā)射短路電流放大系數(shù)模︱hfe︱測(cè)量范圍:2-30
    特征頻率fT測(cè)量誤差:≤±10%
    高頻正向共發(fā)射短路電流放大系數(shù)模︱hfe︱測(cè)量誤差:≤±10%
    外接偏置電壓、電流范圍和精度要求:
    電壓范圍:0-50V
    電壓精度:≤±2.5%
    電流范圍:0-5A
    電流精度:≤±2.5%
    校準(zhǔn)誤差:≤±2×10-2小時(shí)
    適應(yīng)管型:F1、F2、F3、F4、G3、G4
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