NXTM-2B型單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀
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產(chǎn)品名稱: NXTM-2B型單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): NXTM-2B型
產(chǎn)品展商: ghitest
產(chǎn)品文檔: *相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
儀器運(yùn)用了第四代集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測(cè)量硅單晶型號(hào)，配置了可自動(dòng)恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對(duì)于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊**以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型號(hào)。
NXTM-2B型單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀
的詳細(xì)介紹
單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀簡(jiǎn)介：
儀器運(yùn)用了第四代集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測(cè)量硅單晶型號(hào)，配置了可自動(dòng)恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對(duì)于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊**以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型號(hào)。
單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀適用范圍：
適合檢測(cè)硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅。
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)**多晶硅料的企業(yè)。
適用于物理提*生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)。
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)。
適用于科研部門、高等院校及需要**量程測(cè)量電阻率的企業(yè)。
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測(cè)試精度**提高。
測(cè)量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能。
*特的設(shè)計(jì)能**消除測(cè)量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， ***測(cè)量的高精度和寬的量程范圍。
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測(cè)量*，操作*簡(jiǎn)便。
具有**的測(cè)試數(shù)據(jù)查詢及打印功能。
測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)換向測(cè)量、求平均值、值、值、平均百分變化率等。
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測(cè)量重復(fù)性**提高。
采用進(jìn)口元器件，留有*大的系數(shù)，**提高了測(cè)試儀的性和使用壽命。
測(cè)量電流采用高度穩(wěn)定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響。
具有正測(cè)反測(cè)的功能，測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能。
單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測(cè)試精度**提高
測(cè)量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
*特的設(shè)計(jì)能**消除測(cè)量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， ***測(cè)量的高精度和寬的量程范圍
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測(cè)量*，操作*簡(jiǎn)便
具有**的測(cè)試數(shù)據(jù)查詢及打印功能
測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)換向測(cè)量、求平均值、值、值、平均百分變化率等
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測(cè)量重復(fù)性**提高
采用進(jìn)口元器件，留有*大的系數(shù)，**提高了測(cè)試儀的性和使用壽命
測(cè)量電流采用高度穩(wěn)定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測(cè)反測(cè)的功能，測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性
具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能
單晶P/N型號(hào)測(cè)試儀參數(shù)：
測(cè)量范圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功 耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用環(huán)境：溫度：23±2℃ 相對(duì)溫度：≤65%